三星3nm工厂即将竣工：全球首发GAA工艺 功耗直降50%

Samsung的晶圆代工部门近来负面大幅度，先前有传言称以外管理人员举报窜改和全无5nm、4nm、3nm生产工艺晶圆的良品率，以致于高通这样的VIP顾客都要出走，再一常用惠普公司生产骁龙8微处理器。

不过从关键技术上来说，Samsung现在依然是唯一能紧追惠普公司的晶圆代工厂，虽然在7nm、5nm及4nm节点上落后了一些，但在接下来的3nm节点Samsung更激进主义，要全球值得一提的是GAA电路生产工艺，作罢FinFET电路关键技术，而惠普公司的3nm生产工艺依然会基于FinFET生产工艺。

Samsung先前表示，GAA是一种新型的环绕电子元件电路，通过常用基体片的设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道电晶体），该关键技术可以显著增强电路性能，主要取代FinFET电路关键技术。

根据Samsung的说法，与7nm制造生产工艺相比较，3nm GAA关键技术的逻辑面积效率降低了45%以上，功耗减缓了50%，性能降低了约35%，单单参数上来说却是要强于惠普公司3nm FinFET生产工艺。

当然，这些还是单单上的，Samsung的3nm生产工艺再一也不少，光是量产就是个关键问题，先前Samsung的广告2021年就量产，只不过并没有，最快也是去年，而且值得一提的是的是3GAE低功耗生产工艺，高效能的3GAP生产工艺至少要2023年了。

据韩国据悉，Samsung不太可能准备在韩国白川市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了，6、7月份动工，并设法导入的设备。

按照这个进度，去年的3GAE生产工艺应该也只会是小规模试验性，大规模量产也要到来年了，跟惠普公司的3nm生产工艺差不多，两家都因为种种关键问题无限期量产3nm生产工艺了。

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